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Seite 2005/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
GHIS080A120S-A1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227 Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Leistung - max: 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket: SOT-227	Auf Lager4.734
GHIS080A120S-A2 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227 Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Leistung - max: 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket: SOT-227	Auf Lager3.526
GSID080A120B1A5 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Leistung - max: 1710W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.804
GSID100A120S5C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 170A Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 170A Leistung - max: 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.654
GSID100A120T2C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 640W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.214
GSID100A120T2C1A Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.168
GSID100A120T2P2 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 710W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.682
GSID150A120S3B1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 940W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager3.564
GSID150A120S5C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 285A Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 285A Leistung - max: 1087W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.894
GSID150A120S6A4 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 275A Leistung - max: 1035W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.150
GSID150A120T2C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 285A Leistung - max: 1087W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.946
GSID200A120S3B1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1595W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager4.032
GSID200A120S5C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 335A Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 335A Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 22.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.316
GSID200A170S3B1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1630W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D-3 Module Lieferantengerätepaket: D3	Auf Lager2.070
GSID300A120S5C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1200V 430A Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 430A Leistung - max: 1630W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.730
GSID300A125S5C1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: 3 Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A Leistung - max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.140
GSID600A120S4B1 Global Power Technologies Group	Transistoren - IGBTs - Module SILICON IGBT MODULES Hersteller: Global Power Technologies Group Serie: Amp+™ IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1130A Leistung - max: 3060W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.438
HGT1N30N60A4D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Module IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 96A Leistung - max: 255W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket: SOT-227B	Auf Lager242
HGT1N40N60A4D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Module IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A Leistung - max: 298W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket: SOT-227B	Auf Lager5.760
HIGFEB1BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT HYBRID PK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.308
HIGFED1BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT HYBRID PK Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.454
IFF2400P17AE4BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IPM MIPAQP-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 65°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.138
IFF2400P17LE4BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IPM MIPAQP-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 65°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.338
IFF300B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MEDIUM POWER ECONO Hersteller: Infineon Technologies Serie: EconoDUAL™ 3 IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-ECONOD-6	Auf Lager8.226
IFF300B12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT LOW PWR ECONO Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A Leistung - max: 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.736
IFF300B17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT LOW PWR ECONO Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A Leistung - max: 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 27nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.264
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module ECONO DUAL 3 W/SHUNTS Hersteller: Infineon Technologies Serie: EconoDUAL™ 3 IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 450A Leistung - max: 40W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.716
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MEDIUM POWER ECONO Hersteller: Infineon Technologies Serie: EconoDUAL™ 3 IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 450A Leistung - max: 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-ECONOD-6	Auf Lager5.166
IFF600B12ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MEDIUM POWER ECONO Hersteller: Infineon Technologies Serie: EconoDUAL™ 3 IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A Leistung - max: 20mW Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-ECONOD-5	Auf Lager2.736
IFF600B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module ECONO DUAL 3 W/SHUNTS Hersteller: Infineon Technologies Serie: EconoDUAL™ 3 IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A Leistung - max: 40W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.318

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