GSID200A170S3B1
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Teilenummer | GSID200A170S3B1 |
PNEDA Teilenummer | GSID200A170S3B1 |
Beschreibung | SILICON IGBT MODULES |
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.070 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GSID200A170S3B1 Ressourcen
Marke | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GSID200A170S3B1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
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GSID200A170S3B1 Technische Daten
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Serie | Amp+™ |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | 2 Independent |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 400A |
Leistung - max | 1630W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | D-3 Module |
Lieferantengerätepaket | D3 |
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