GSID150A120S6A4
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Teilenummer | GSID150A120S6A4 |
PNEDA Teilenummer | GSID150A120S6A4 |
Beschreibung | SILICON IGBT MODULES |
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.150 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GSID150A120S6A4 Ressourcen
Marke | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GSID150A120S6A4 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
GSID150A120S6A4, GSID150A120S6A4 Datenblatt
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GSID150A120S6A4 Technische Daten
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Serie | Amp+™ |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 275A |
Leistung - max | 1035W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 20.2nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 360W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.35nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |