F1235R12KT4GBOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | F1235R12KT4GBOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | F1235R12KT4GBOSA1 |
| Beschreibung | IGBT F1235R12KT4GBOSA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.202 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 28 - Mai 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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F1235R12KT4GBOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | F1235R12KT4GBOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
F1235R12KT4GBOSA1, F1235R12KT4GBOSA1 Datenblatt
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F1235R12KT4GBOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Leistung - max | 210W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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