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MURS160T3G

MURS160T3G MURS160T3G

Nur als Referenz

Teilenummer MURS160T3G
PNEDA Teilenummer MURS160T3G
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
Hersteller ON Semiconductor
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MURS160T3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMURS160T3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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MURS160T3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketSMB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

70µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

240pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JAN1N6626US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

220V

Current - Average Rectified (Io)

1.75A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 1.2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 220V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, E

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

30BQ150TR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FR2J-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA, HSMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

BAT1000TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

12ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

175pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

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