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GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Nur als Referenz

Teilenummer GSID200A120S5C1
PNEDA Teilenummer GSID200A120S5C1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 335A
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 8.316
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GSID200A120S5C1 Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGSID200A120S5C1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
GSID200A120S5C1, GSID200A120S5C1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 407,89 KB)
PDFGSID200A120S5C1 Datenblatt Cover
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GSID200A120S5C1 Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)335A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce22.4nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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IGBT-Typ

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Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

1420W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

160nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF30H60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTCV60HM70RT3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Leistung - max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

S3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2400A

Leistung - max

15500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 2400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

195nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

Module

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