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GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Nur als Referenz

Teilenummer GSID080A120B1A5
PNEDA Teilenummer GSID080A120B1A5
Beschreibung SILICON IGBT MODULES
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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GSID080A120B1A5 Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGSID080A120B1A5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
GSID080A120B1A5, GSID080A120B1A5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 439,38 KB)
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GSID080A120B1A5 Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
SerieAmp+™
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Leistung - max1710W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS100R17N3E4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT30GF60JU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Leistung - max

192W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.85nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

149A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.08nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FS100R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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