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FF225R17ME4BOSA1

FF225R17ME4BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF225R17ME4BOSA1
PNEDA Teilenummer FF225R17ME4BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF225R17ME4BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF225R17ME4BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF225R17ME4BOSA1, FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 603,64 KB)
PDFFF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Cover
FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 2 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 3 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 4 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 5 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 6 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 7 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 8 FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt Seite 9

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FF225R17ME4BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)340A
Leistung - max1500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 225A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce18.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

HIGFED1BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

50MT060WH

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

114A

Leistung - max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.1nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

12-MTP Module

Lieferantengerätepaket

12-MTP

FF45R12W1J1B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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