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50MT060WH

50MT060WH

Nur als Referenz

Teilenummer 50MT060WH
PNEDA Teilenummer 50MT060WH
Beschreibung IGBT WARP 600V 114A MTP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.190
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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50MT060WH Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer50MT060WH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
50MT060WH, 50MT060WH Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 62,06 KB)
PDF50MT060WH Datenblatt Cover
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50MT060WH Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)114A
Leistung - max658W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce7.1nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall12-MTP Module
Lieferantengerätepaket12-MTP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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APTGF90SK60T1G

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.28V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

BSM150GD60DLC

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

180A

Leistung - max

570W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT200GN60JG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

283A

Leistung - max

682W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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