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BSM10GP60BOSA1

BSM10GP60BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM10GP60BOSA1
PNEDA Teilenummer BSM10GP60BOSA1
Beschreibung IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSM10GP60BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM10GP60BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM10GP60BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Leistung - max80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce600pF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

71.5W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GA200HS60S1PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

480A

Leistung - max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.21V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

32.5nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FS150R07N3E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

270A

Leistung - max

1130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-DCB

Lieferantengerätepaket

Y3-DCB

VS-40MT120UHAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

463W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.91V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.28nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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