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GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Nur als Referenz

Teilenummer GSID100A120T2C1A
PNEDA Teilenummer GSID100A120T2C1A
Beschreibung SILICON IGBT MODULES
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 3.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GSID100A120T2C1A Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGSID100A120T2C1A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
GSID100A120T2C1A, GSID100A120T2C1A Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 346,24 KB)
PDFGSID100A120T2C1A Datenblatt Cover
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GSID100A120T2C1A Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
SerieAmp+™
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Leistung - max800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce13.7nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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CM100TL-12NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

540W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF30A60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y4-M5

Lieferantengerätepaket

Y4-M5

APTGT150A170D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

VS-GA200TH60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

260A

Leistung - max

1042W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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