FGL60N100BNTDTU
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| Teilenummer | FGL60N100BNTDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGL60N100BNTDTU |
| Beschreibung | IGBT 1000V 60A 180W TO264 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGL60N100BNTDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGL60N100BNTDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGL60N100BNTDTU, FGL60N100BNTDTU Datenblatt
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FGL60N100BNTDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 180W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 275nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 140ns/630ns |
| Testbedingung | 600V, 60A, 51Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 375W Schaltenergie 520µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/190ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
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