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IXGH20N120

IXGH20N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH20N120
PNEDA Teilenummer IXGH20N120
Beschreibung IGBT 1200V 40A 150W TO247
Hersteller IXYS
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IXGH20N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH20N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH20N120, IXGH20N120 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 106,19 KB)
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IXGT20N120 Datenblatt Seite 2

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IXGH20N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie6.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge63nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/400ns
Testbedingung800V, 20A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/116ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/180ns

Testbedingung

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

IRGS4715DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

SGB30N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.29mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/291ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Hersteller

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/168ns

Testbedingung

400V, 10A, 26Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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