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IXYH8N250CHV

IXYH8N250CHV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH8N250CHV
PNEDA Teilenummer IXYH8N250CHV
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYH8N250CHV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH8N250CHV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYH8N250CHV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)29A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)70A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 8A
Leistung - max280W
Schaltenergie2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.11ns/180ns
Testbedingung1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
LieferantengerätepaketTO-247HV

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 60A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

106nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/166ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

346ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGS4715DTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

463W

Schaltenergie

280µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

390V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

950µJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

113nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

425V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

11.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

2.3µs/2µs

Testbedingung

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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