STGB20NB37LZ
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| Teilenummer | STGB20NB37LZ |
| PNEDA Teilenummer | STGB20NB37LZ |
| Beschreibung | IGBT 425V 40A 200W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.194 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB20NB37LZ Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB20NB37LZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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STGB20NB37LZ Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 425V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 4.5V, 20A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 11.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 51nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 2.3µs/2µs |
| Testbedingung | 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 360W Schaltenergie 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 136nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/420ns Testbedingung 960V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A Leistung - max 45W Schaltenergie 400µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 3A, 330Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max 35W Schaltenergie 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/34ns Testbedingung 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
