SGS5N60RUFDTU
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| Teilenummer | SGS5N60RUFDTU |
| PNEDA Teilenummer | SGS5N60RUFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 8A 35W TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGS5N60RUFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGS5N60RUFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGS5N60RUFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 35W |
| Schaltenergie | 88µJ (on), 107µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 16nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/34ns |
| Testbedingung | 300V, 5A, 40Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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