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NGTB15N120IHLWG

NGTB15N120IHLWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB15N120IHLWG
PNEDA Teilenummer NGTB15N120IHLWG
Beschreibung IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.616
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NGTB15N120IHLWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB15N120IHLWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB15N120IHLWG, NGTB15N120IHLWG Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 167,65 KB)
PDFNGTB15N120IHLWG Datenblatt Cover
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NGTB15N120IHLWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Leistung - max156W
Schaltenergie560µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/165ns
Testbedingung600V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

358nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/418ns

Testbedingung

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

126A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 16A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

4.75mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

97nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/260ns

Testbedingung

1250V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

19ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

IRG4PC40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

AOTF10B60D2

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

FGA15S125P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.72V @ 15V, 15A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

129nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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