NGTB15N120IHLWG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 156W Schaltenergie 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/165ns Testbedingung 600V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |