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IXST15N120B

IXST15N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXST15N120B
PNEDA Teilenummer IXST15N120B
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.958
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IXST15N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXST15N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXST15N120B, IXST15N120B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 54,61 KB)
PDFIXST15N120B Datenblatt Cover
IXST15N120B Datenblatt Seite 2

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IXST15N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 15A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge57nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/148ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 60A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRG4RC10STRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/630ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IRG7CH44K10EF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/230ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NGD8201ANT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

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