APT45GR65BSCD10
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| Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| PNEDA Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT45GR65BSCD10 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT45GR65BSCD10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT45GR65BSCD10 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 118A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 543W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/100ns |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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