SGB30N60ATMA1
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| Teilenummer | SGB30N60ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGB30N60ATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 41A 250W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.898 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGB30N60ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGB30N60ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGB30N60ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 112A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.29mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/291ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 416W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 375nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/252ns Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 143ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
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