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IXYP10N65C3D1

IXYP10N65C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYP10N65C3D1
PNEDA Teilenummer IXYP10N65C3D1
Beschreibung IGBT 650V 30A 160W TO-220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.416
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IXYP10N65C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYP10N65C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYP10N65C3D1, IXYP10N65C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 209,08 KB)
PDFIXYP10N65C3D1 Datenblatt Cover
IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 2 IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 3 IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 4 IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 5 IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 6 IXYP10N65C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXYP10N65C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung - max160W
Schaltenergie240µJ (on), 110µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/77ns
Testbedingung400V, 10A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)170ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.09mJ (on), 626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

51ns/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4PC30K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4PH20KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

450µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/93ns

Testbedingung

960V, 5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/205ns

Testbedingung

960V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

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Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/328ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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