IXYP10N65C3D1
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| Teilenummer | IXYP10N65C3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYP10N65C3D1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 30A 160W TO-220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.416 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYP10N65C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP10N65C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYP10N65C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 54A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 160W |
| Schaltenergie | 240µJ (on), 110µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/77ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 12A Leistung - max 125W Schaltenergie 165µJ (on), 255µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/105ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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