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IXYH20N120C3

IXYH20N120C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH20N120C3
PNEDA Teilenummer IXYH20N120C3
Beschreibung IGBT 1200V 40A 278W TO-247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.776
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IXYH20N120C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH20N120C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH20N120C3, IXYH20N120C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 221,72 KB)
PDFIXYA20N120C3HV Datenblatt Cover
IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 2 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 3 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 4 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 5 IXYA20N120C3HV Datenblatt Seite 6

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IXYH20N120C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
Leistung - max278W
Schaltenergie1.3mJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/90ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGC4067B

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IHW40T60FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 40A

Leistung - max

303W

Schaltenergie

920µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/186ns

Testbedingung

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

143ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.15mJ (on), 271µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/66ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

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Eingabetyp

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Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TO-263 (IXGA)

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