Transistoren

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FGH40N65UFDTU-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 40A 290W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 1.28mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/126ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 65ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.898
FGH40N6S2 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 75A 290W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 115µJ (on), 195µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 8ns/35ns Testbedingung: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager4.014
FGH40N6S2D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 75A 290W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 290W Schaltenergie: 115µJ (on), 195µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 8ns/35ns Testbedingung: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 48ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.506
FGH40T100SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 333W Schaltenergie: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 265nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/285ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 78ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager13.200
FGH40T100SMD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 80A 333W TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 333W Schaltenergie: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 398nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/285ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 78ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.300
FGH40T120SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 555W Schaltenergie: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/475ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 65ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager15.152
FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 555W Schaltenergie: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/475ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 65ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager16.416
FGH40T120SMDL4 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 555W Schaltenergie: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/464ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 65ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-4 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager7.038
FGH40T120SQDNL4 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A UFS FOR SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Leistung - max: 454W Schaltenergie: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 221nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/220ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 166ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-4 Lieferantengerätepaket: TO-247-4L	Auf Lager7.836
FGH40T65SHD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.2ns/65.6ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager6.192
FGH40T65SHDF-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.22mJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 101ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager9.780
FGH40T65SH-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.2ns/65.6ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager6.858
FGH40T65SPD-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single AUTOMOTIVE 650V FS GEN3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 267W Schaltenergie: 1.16MJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 36nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/35ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.586
FGH40T65SPD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 267W TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 267W Schaltenergie: 1.16mJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16ns/37ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 34ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager83.766
FGH40T65SQD_F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V FS4 TRENCH IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 238W Schaltenergie: 138µJ (on), 52µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16.4ns/86.4ns Testbedingung: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.244
FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 40A FS4 TRENCH IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 238W Schaltenergie: 138µJ (on), 52µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16.4ns/86.4ns Testbedingung: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.282
FGH40T65UPD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-247AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.59mJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 177nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/144ns Testbedingung: 400V, 40A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 43ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager23.238
FGH40T65UQDF-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FS4TIGBT TO247 40A 650V Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A Leistung - max: 231W Schaltenergie: 989µJ (on), 310µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/271ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.252
FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V FS GEN3 TRENCH IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.15mJ (on), 271µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 69nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/66ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.260
FGH50N3 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 75A 463W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 463W Schaltenergie: 130µJ (on), 92µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/135ns Testbedingung: 180V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.776
FGH50N6S2 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 75A 463W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max: 463W Schaltenergie: 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/55ns Testbedingung: 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager3.276
FGH50N6S2D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 75A 463W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max: 463W Schaltenergie: 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/55ns Testbedingung: 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager9.708
FGH50T65SQD-F155 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V FS4 TRENCH IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 180µJ (on), 45µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 99nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/105ns Testbedingung: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager21.108
FGH50T65UPD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 100A 340W TO-247AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max: 340W Schaltenergie: 2.7mJ (on), 740µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 230nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/160ns Testbedingung: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 53ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager4.081
FGH60N60SFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 378W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 378W Schaltenergie: 1.79mJ (on), 670µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 198nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/134ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 47ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.508
FGH60N60SFDTU-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 378W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 378W Schaltenergie: 1.97mJ (on), 570µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/134ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.928
FGH60N60SFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 378W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 378W Schaltenergie: 1.79mJ (on), 670µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 198nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/134ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.748
FGH60N60SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 600W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max: 600W Schaltenergie: 1.26mJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 189nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/104ns Testbedingung: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 39ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager20.880
FGH60N60SMD-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 600W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max: 600W Schaltenergie: 1.59mJ (on), 390µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 280nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/116ns Testbedingung: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager16.302
FGH60N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 298W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/130ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 47ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager10.056

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