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FGA6065ADF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 306W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 306W Schaltenergie: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25.6ns/71ns Testbedingung: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager7.668
FGA60N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 298W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A Leistung - max: 298W Schaltenergie: 1.81mJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/130ns Testbedingung: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 47ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.712
FGA60N65SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 600W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max: 600W Schaltenergie: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 189nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/104ns Testbedingung: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 47ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager15.276
FGA6530WDF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 60A 176W TO3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max: 176W Schaltenergie: 960µJ (on), 162µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 37.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/42.4ns Testbedingung: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 81ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager4.050
FGA6540WDF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 238W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 238W Schaltenergie: 1.37mJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 55.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16.8ns/54.4ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 101ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.352
FGA6560WDF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 120A 306W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max: 306W Schaltenergie: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25.6ns/71ns Testbedingung: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager5.886
FGA70N30TDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 201W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 201W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 21ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager4.248
FGA70N30TTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 201W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 201W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager2.106
FGA70N33BTDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 330V 149W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A Leistung - max: 149W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 23ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager7.704
FGA90N30DTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 90A 219W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 219W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 21ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager4.068
FGA90N30TU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 300V 90A 219W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 219W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager5.454
FGA90N33ATDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 330V 90A 223W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 223W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 23ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.244
FGA90N33ATTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 330V 90A 223W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 223W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager2.268
FGAF20N60SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 452µJ (on), 141µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/91ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 26.7ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager8.196
FGAF40N60SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 79W TO-3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 870µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/92ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 36ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager5.886
FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 100W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 470µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager8.688
FGAF40N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 100W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 470µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager8.868
FGAF40S65AQ ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 40A FS4 SA IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 94W Schaltenergie: 132µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17.8ns/81.6ns Testbedingung: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 274ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF-3	Auf Lager6.282
FGB20N60SF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 208W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 208W Schaltenergie: 370µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/90ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager2.250
FGB20N60SFD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 208W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 208W Schaltenergie: 370µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/90ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 34ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager6.840
FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 208W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A Leistung - max: 208W Schaltenergie: 310µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 10ns/90ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 111ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager25.050
FGB20N6S2 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 125W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 25µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 7.7ns/87ns Testbedingung: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager8.856
FGB20N6S2D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 28A 125W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 25µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 7.7ns/87ns Testbedingung: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager3.510
FGB3040CS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 430V 21A 150W TO263-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/4.7µs Testbedingung: 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Lieferantengerätepaket: TO-263-6	Auf Lager3.508
FGB3040G2-F085 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 41A TO263 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 900ns/4.8µs Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263)	Auf Lager43.746
FGB3040G2-F085C ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 900ns/4.8µs Testbedingung: 5V, 470Ohm Reverse Recovery Time (trr): 1.9µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK-3 (TO-263-3)	Auf Lager3.546
FGB30N6S2 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 45A 167W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6ns/40ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager7.848
FGB30N6S2D ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 45A 167W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6ns/40ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 46ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager6.678
FGB30N6S2DT ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 45A 167W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6ns/40ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 46ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager7.398
FGB30N6S2T ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 45A 167W TO263AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 55µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6ns/40ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: TO-263AB	Auf Lager4.302

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