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FGA70N30TDTU

FGA70N30TDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA70N30TDTU
PNEDA Teilenummer FGA70N30TDTU
Beschreibung IGBT 300V 201W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.248
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 21 - Mär 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA70N30TDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA70N30TDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA70N30TDTU, FGA70N30TDTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 763,76 KB)
PDFFGA70N30TDTU Datenblatt Cover
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FGA70N30TDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 20A
Leistung - max201W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.01mJ (on), 297µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/65.6ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31.8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IRG4PH30KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

640µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/200ns

Testbedingung

960V, 10A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/152ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (HB)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

2mJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

196nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/123ns

Testbedingung

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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