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IXGX72N60B3H1

IXGX72N60B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX72N60B3H1
PNEDA Teilenummer IXGX72N60B3H1
Beschreibung IGBT 600V 75A 540W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGX72N60B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX72N60B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX72N60B3H1, IXGX72N60B3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 275,23 KB)
PDFIXGK72N60B3H1 Datenblatt Cover
IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 2 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 3 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 4 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 5 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 6 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 7

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IXGX72N60B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
Leistung - max540W
Schaltenergie1.4mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/152ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

IRG4BC30FD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.42mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/250ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

130µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

Testbedingung

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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