Transistoren

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FGA20S125P ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 129nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager4.680
FGA20S125P-SN00336 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 740µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 10ns/400ns Testbedingung: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager6.336
FGA20S140P ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 272W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 203.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager13.632
FGA25N120ANDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A 310W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max: 310W Schaltenergie: 4.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/170ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 350ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.060
FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 50A 312W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Leistung - max: 312W Schaltenergie: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/190ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 350ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager20.916
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 50A 312W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A Leistung - max: 312W Schaltenergie: 4.1mJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/190ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 350ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.600
FGA25N120ANTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A 310W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max: 310W Schaltenergie: 4.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/170ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.312
FGA25N120FTD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 50A 313W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Leistung - max: 313W Schaltenergie: 340µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 48ns/210ns Testbedingung: 600V, 25A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 770ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.604
FGA25S125P ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 204nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager5.436
FGA25S125P-SN00337 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.09mJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 204nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24ns/502ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager7.128
FGA3060ADF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 176W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 176W Schaltenergie: 960µJ (on), 165µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 37.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/42.4ns Testbedingung: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 26ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager4.320
FGA30N120FTDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 339W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 339W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 208nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 730ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager6.252
FGA30N60LSDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 480W TO3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 480W Schaltenergie: 1.1mJ (on), 21mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/250ns Testbedingung: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 35ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager11.292
FGA30N65SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 716µJ (on), 208µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/102ns Testbedingung: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 35ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager2.916
FGA30S120P ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1300V 60A 348W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 348W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager9.336
FGA30T65SHD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 60A 238W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max: 238W Schaltenergie: 598µJ (on), 167µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 54.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14.4ns/52.8ns Testbedingung: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.064
FGA4060ADF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 238W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 238W Schaltenergie: 1.37mJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 55.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 16.8ns/54.4ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 26ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager4.608
FGA40N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 470µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager2.916
FGA40N65SMD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 349W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max: 349W Schaltenergie: 820µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/92ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager7.800
FGA40S65SH ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V FS GEN3 TRENCH IGBT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 194µJ (on), 388µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 73nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.2ns/68.8ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager5.454
FGA40T65SHD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.2ns/65.6ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.196
FGA40T65SHDF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 268W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.22mJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 101ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager3.420
FGA40T65UQDF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 231W TO3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A Leistung - max: 231W Schaltenergie: 989µJ (on), 310µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 306nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/271ns Testbedingung: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 89ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager5.616
FGA5065ADF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 100A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Leistung - max: 268W Schaltenergie: 1.35mJ (on), 309µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20.8ns/62.4ns Testbedingung: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31.8ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.334
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 50A 156W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 156W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 257nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/243ns Testbedingung: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 75ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager5.382
FGA50N100BNTDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 50A 156W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 156W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 275nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager1.240
FGA50N100BNTTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1000V 50A 156W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max: 156W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 257nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/243ns Testbedingung: 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager7.758
FGA50N60LS ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 240W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Leistung - max: 240W Schaltenergie: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 54ns/146ns Testbedingung: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.258
FGA50S110P ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1100V 50A 300W TO3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1100V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max: 300W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.046
FGA50T65SHD ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 100A 319W TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: 319W Schaltenergie: 1.28mJ (on), 384µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22.4ns/73.6ns Testbedingung: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 34.6ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager16.260

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