FGA6560WDF
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| Teilenummer | FGA6560WDF |
| PNEDA Teilenummer | FGA6560WDF |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 306W TO-3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.886 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA6560WDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA6560WDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA6560WDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 306W |
| Schaltenergie | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 84nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25.6ns/71ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 310W Schaltenergie 4.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/170ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max 198W Schaltenergie 1.9mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/580ns Testbedingung 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 156W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 257nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/243ns Testbedingung 600V, 60A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed 2™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 500A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/120ns Testbedingung 400V, 80A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
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