FGH40T120SMD
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| Teilenummer | FGH40T120SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T120SMD |
| Beschreibung | IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.152 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40T120SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T120SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH40T120SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 555W |
| Schaltenergie | 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 370nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/475ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 10V @ 26V, 200A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/100ns Testbedingung 300V, 200A, 30Ohm, 26V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
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