FGH50T65SQD-F155
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| Teilenummer | FGH50T65SQD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH50T65SQD-F155 |
| Beschreibung | 650V FS4 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.108 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH50T65SQD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH50T65SQD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH50T65SQD-F155, FGH50T65SQD-F155 Datenblatt
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FGH50T65SQD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 180µJ (on), 45µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 99nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 42A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 7.8A Leistung - max 49W Schaltenergie 240µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/160ns Testbedingung 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
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