FGH40T70SHD-F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH40T70SHD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T70SHD-F155 |
| Beschreibung | 650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.260 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH40T70SHD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T70SHD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH40T70SHD-F155, FGH40T70SHD-F155 Datenblatt
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FGH40T70SHD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 1.15mJ (on), 271µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 69nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/66ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 468W Schaltenergie 690µJ (on), 2.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 165ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 25µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 7.7ns/87ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 51.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
