FGH40T65SQD_F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH40T65SQD_F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T65SQD_F155 |
| Beschreibung | 650V FS4 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH40T65SQD_F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T65SQD_F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH40T65SQD_F155, FGH40T65SQD_F155 Datenblatt
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FGH40T65SQD_F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 238W |
| Schaltenergie | 138µJ (on), 52µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16.4ns/86.4ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max 185W Schaltenergie 350µJ (on), 435µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/120ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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