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Transistoren

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Beschreibung
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RN2704,LF
RN2704,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.860
RN2705JE(TE85L,F)
RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager8.586
RN2705,LF
RN2705,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.974
RN2706JE(TE85L,F)
RN2706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager5.742
RN2706,LF
RN2706,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.578
RN2707JE(TE85L,F)
RN2707JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager6.876
RN2707,LF
RN2707,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.726
RN2708JE(TE85L,F)
RN2708JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager2.376
RN2708,LF
RN2708,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.870
RN2709JE(TE85L,F)
RN2709JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager30.366
RN2709,LF
RN2709,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager8.352
RN2710JE(TE85L,F)
RN2710JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager8.460
RN2710,LF
RN2710,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.824
RN2711JE(TE85L,F)
RN2711JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager31.302
RN2711(TE85L,F)
RN2711(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Lieferantengerätepaket: USV
Auf Lager8.010
RN2712JE(TE85L,F)
RN2712JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager33.420
RN2713JE(TE85L,F)
RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-553
  • Lieferantengerätepaket: ESV
Auf Lager32.472
RN2714,LF
RN2714,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.246
RN2901FE(TE85L,F)
RN2901FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
Auf Lager7.344
RN2901,LF(CT
RN2901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.344
RN2901(T5L,F,T)
RN2901(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager4.482
RN2902FE,LF(CT
RN2902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
Auf Lager3.114
RN2902FE(T5L,F,T)
RN2902FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
Auf Lager3.906
RN2902,LF
RN2902,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager5.112
RN2902,LF(CT
RN2902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager23.922
RN2902(T5L,F,T)
RN2902(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager6.318
RN2903FE(TE85L,F)
RN2903FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
Auf Lager34.128
RN2903,LF
RN2903,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager6.300
RN2903,LF(CT
RN2903,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: US6
Auf Lager7.812
RN2904FE,LF
RN2904FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 100mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: ES6
Auf Lager31.182