RN2710JE(TE85L,F)
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Teilenummer | RN2710JE(TE85L,F) |
PNEDA Teilenummer | RN2710JE-TE85L-F |
Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.460 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN2710JE(TE85L Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RN2710JE(TE85L,F) |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN2710JE(TE85L Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung - max | 100mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-553 |
Lieferantengerätepaket | ESV |
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