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RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager2.142
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager3.906
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager26.082
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager2.232
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager24.426
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager22.632
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager5.184
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager5.292
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager3.438
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager7.362
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager25.404
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager5.076
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager28.686
RN2511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager8.964
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager23.700
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.490
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager27.636
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager27.522
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.904
RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager3.654
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager4.806
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.490
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager6.264
RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager2.070
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.374
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.824
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: USV	Auf Lager5.166
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager4.230
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.950
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager7.884

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