Transistoren

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PUMH9,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager8.172
PUMH9,165 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager6.894
PUML1,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 230MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager2.340
QSH29TR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 1.25W Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95)	Auf Lager4.896
RN1501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager7.812
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager3.420
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager7.740
RN1505(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager19.596
RN1506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager7.038
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager2.232
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager7.596
RN1509(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager3.526
RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager25.620
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMV	Auf Lager2.736
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager3.798
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager6.768
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager7.398
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager24.048
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager27.126
RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager28.002
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager5.706
RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager2.376
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager7.128
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager28.740
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: SM6	Auf Lager7.902
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager8.316
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.562
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager28.860
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.460
RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: ESV	Auf Lager3.654

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