Transistoren

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RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager7.038
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager3.132
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RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.010
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.642
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager2.052
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RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.426
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager29.442
RN4905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.966
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager2.358
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RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager5.310
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RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager5.418
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager4.500
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.766
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager2.862
RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.544
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RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager21.990
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RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.736
RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.264
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RN4982,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager705.900
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager5.382
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager7.236

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