Transistoren

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SMUN5231DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager4.500
SMUN5232DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager4.248
SMUN5233DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager53.850
SMUN5235DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager73.632
SMUN5235DW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager3.672
SMUN5237DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager163.512
SMUN5311DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager276.912
SMUN5311DW1T2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager5.796
SMUN5311DW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.464
SMUN5312DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager28.944
SMUN5313DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager21.900
SMUN5313DW1T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.590
SMUN5314DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager95.274
SMUN5315DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager2.376
SMUN5330DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager7.704
SMUN5335DW1T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager50.850
SMUN5335DW1T2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager8.154
SSVMUN5312DW1T2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 187mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363	Auf Lager8.244
UMA10NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager3.024
UMA11NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager3.960
UMA1NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager5.328
UMA2NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager45.648
UMA3NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager6.516
UMA4NT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager6.678
UMA4NT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager7.380
UMA4NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager4.626
UMA5NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager7.398
UMA6NT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	Auf Lager8.784
UMA6NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager4.158
UMA7NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: UMT5	Auf Lager2.700

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