SMUN5330DW1T1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | SMUN5330DW1T1G |
| PNEDA Teilenummer | SMUN5330DW1T1G |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SMUN5330DW1T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SMUN5330DW1T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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SMUN5330DW1T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 187mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Widerstand - Basis (R1) - Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang - Leistung - max - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
