RN2708JE(TE85L,F)
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| Teilenummer | RN2708JE(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | RN2708JE-TE85L-F |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN2708JE(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN2708JE(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN2708JE(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung - max | 100mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket | ESV |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 220Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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