Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 41/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
ULN2803ADWRG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 18-SOIC	Auf Lager222.204
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 1.31W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 18-SOL	Auf Lager7.344
ULN2803AN Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-PDIP	Auf Lager4.014
ULN2803ANG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-PDIP	Auf Lager3.726
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 1.47W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager3.204
ULN2804A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager18.708
ULN2805A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager2.286
ULQ2001A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager8.460
ULQ2001D1013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager4.194
ULQ2003A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager14.580
ULQ2003D1 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager7.128
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager59.064
ULQ2003D1013TRY STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q100 Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager130.152
ULQ2004A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager10.920
ULQ2004D1013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager45.870
ULQ2801A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC ARRAYS EIGHT DARL 18-DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager4.680
ULQ2802A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager8.550
ULQ2803A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager59.880
ULQ2804A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager19.524
UMB10NFHATN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager6.156
UMB2NFHATN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager3.546
UMB3NFHATN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager5.364
UMB4NFHATN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager6.696
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager28.122
UML23NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN + Zener Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager28.194
UML2N-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays DIODE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SOT-353	Auf Lager8.622
UML6N-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays DIODE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 120mW Frequenz - Übergang: 320MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket: SOT-353	Auf Lager7.434
UMT18NTR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 260MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager25.752
UMT1NTN Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager240.654
UMT1N-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager87.234

«
‹
1
...
38
39
40
41 (current)
42
43
44
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message