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ULN2803ANG4

ULN2803ANG4

Nur als Referenz

Teilenummer ULN2803ANG4
PNEDA Teilenummer ULN2803ANG4
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Hersteller Texas Instruments
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Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ULN2803ANG4 Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerULN2803ANG4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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ULN2803ANG4 Technische Daten

Hersteller
Serie-
Transistortyp8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall18-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket18-PDIP

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

EMZ8T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 260MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

2SC4207-BL(TE85L,F

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

350 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

ZXTD6717E6TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A, 1.25A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V, 12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

180MHz, 220MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

FMB5551

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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