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ULN2004ADRE4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager3.474
ULN2004ADRG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager5.472
ULN2004AFWG,N,E Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOL	Auf Lager15.480
ULN2004AID Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager12.738
ULN2004AIDR Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager6.372
ULN2004AIN Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager24.198
ULN2004AINS Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager2.340
ULN2004AINSE4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager2.340
ULN2004AINSG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager2.376
ULN2004AINSR Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager6.984
ULN2004AN Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager29.658
ULN2004ANG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager5.274
ULN2004ANSR Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager3.978
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 1.47W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-DIP	Auf Lager7.632
ULN2004AS16-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager8.622
ULN2004D1013TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SO	Auf Lager324.168
ULN2064B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager17.190
ULN2065B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager16.836
ULN2066B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager17.220
ULN2067B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager4.950
ULN2068B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager35.160
ULN2069B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager18.372
ULN2074B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager3.042
ULN2075B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PowerDIP (20x7.10)	Auf Lager21.960
ULN2801A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager19.224
ULN2802A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager12.336
ULN2803A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: 2.25W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 18-DIP	Auf Lager158.694
ULN2803ADW Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 18-SOIC	Auf Lager24.360
ULN2803ADWG4 Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 18-SOIC	Auf Lager85.350
ULN2803ADWR Texas Instruments	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO Hersteller: Serie: - Transistortyp: 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket: 18-SOIC	Auf Lager686.736

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