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ULN2801A

ULN2801A

Nur als Referenz

Teilenummer ULN2801A
PNEDA Teilenummer ULN2801A
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 19.224
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 31 - Feb 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ULN2801A Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerULN2801A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ULN2801A, ULN2801A Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 298,56 KB)
PDFULN2802A Datenblatt Cover
ULN2802A Datenblatt Seite 2 ULN2802A Datenblatt Seite 3 ULN2802A Datenblatt Seite 4 ULN2802A Datenblatt Seite 5 ULN2802A Datenblatt Seite 6 ULN2802A Datenblatt Seite 7 ULN2802A Datenblatt Seite 8 ULN2802A Datenblatt Seite 9 ULN2802A Datenblatt Seite 10 ULN2802A Datenblatt Seite 11

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ULN2801A Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
Leistung - max2.25W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-20°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall18-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket18-DIP

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Serie

-

Transistortyp

6 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 4V

Leistung - max

4W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Formed Leads

Lieferantengerätepaket

15-SIP

MD918

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 3mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

600MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

NST45010MW6T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

FMB200

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 5V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

BCV65,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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