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ULN2065B

ULN2065B

Nur als Referenz

Teilenummer ULN2065B
PNEDA Teilenummer ULN2065B
Beschreibung TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 16.836
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ULN2065B Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerULN2065B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ULN2065B, ULN2065B Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 256,68 KB)
PDFULN2067B Datenblatt Cover
ULN2067B Datenblatt Seite 2 ULN2067B Datenblatt Seite 3 ULN2067B Datenblatt Seite 4 ULN2067B Datenblatt Seite 5 ULN2067B Datenblatt Seite 6 ULN2067B Datenblatt Seite 7 ULN2067B Datenblatt Seite 8 ULN2067B Datenblatt Seite 9 ULN2067B Datenblatt Seite 10 ULN2067B Datenblatt Seite 11

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ULN2065B Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp4 NPN Darlington (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.75A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-20°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-PowerDIP (20x7.10)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz, 200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

MAT03EHZ

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

36V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

190MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-78-6

JAN2N6990

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/559

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-Flatpack

Lieferantengerätepaket

14-Flatpack

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Hersteller

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-CLCC

Lieferantengerätepaket

6-CLCC

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN + Zener Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

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