UMT1N-TP
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| Teilenummer | UMT1N-TP |
| PNEDA Teilenummer | UMT1N-TP |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363 |
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 87.234 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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UMT1N-TP Ressourcen
| Marke | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UMT1N-TP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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UMT1N-TP Technische Daten
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 150mW |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 100mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
