ULN2803APG,CN
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| Teilenummer | ULN2803APG,CN |
| PNEDA Teilenummer | ULN2803APG-CN |
| Beschreibung | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.204 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ULN2803APG Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ULN2803APG,CN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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ULN2803APG Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 8 NPN Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Leistung - max | 1.47W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 18-DIP |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA, 2V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 260MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SMT6 |
