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Speicher-ICs

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IS61NVP25672-250B1I
IS61NVP25672-250B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 209-BGA
  • Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)
Auf Lager7.308
IS61NVP25672-250B1I-TR
IS61NVP25672-250B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 209-BGA
  • Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)
Auf Lager5.238
IS61NVP409618B-250B3L
IS61NVP409618B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.8ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager7.218
IS61NVP409618B-250B3L-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.8ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager5.472
IS61NVP51236-200B3
IS61NVP51236-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager5.076
IS61NVP51236-200B3I
IS61NVP51236-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager7.110
IS61NVP51236-200B3I-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager7.848
IS61NVP51236-200B3LI
IS61NVP51236-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager6.030
IS61NVP51236-200B3LI-TR
IS61NVP51236-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager3.420
IS61NVP51236-200B3-TR
IS61NVP51236-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager4.518
IS61NVP51236-200TQLI
IS61NVP51236-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager7.920
IS61NVP51236-200TQLI-TR
IS61NVP51236-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3.1ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Auf Lager6.102
IS61NVP51236-250B3
IS61NVP51236-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager5.130
IS61NVP51236-250B3I
IS61NVP51236-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager3.942
IS61NVP51236-250B3I-TR
IS61NVP51236-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager8.586
IS61NVP51236-250B3-TR
IS61NVP51236-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 2.6ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager4.446
IS61NVP51236B-200B3I
IS61NVP51236B-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager2.898
IS61NVP51236B-200B3I-TR
IS61NVP51236B-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager4.212
IS61NVP51236B-200B3LI
IS61NVP51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager3.582
IS61NVP51236B-200B3LI-TR
IS61NVP51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-TBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)
Auf Lager5.400
IS61NVP51236B-200TQLI
IS61NVP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager2.430
IS61NVP51236B-200TQLI-TR
IS61NVP51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
  • Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 3ns
  • Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 100-LQFP
  • Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)
Auf Lager5.886
IS61QDB21M18A-250B4LI
IS61QDB21M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)
Auf Lager6.282
IS61QDB21M18A-250M3L
IS61QDB21M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager4.266
IS61QDB21M36-250M3
IS61QDB21M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager3.580
IS61QDB21M36-250M3L
IS61QDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager5.832
IS61QDB21M36A-250M3L
IS61QDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager6.804
IS61QDB21M36C-250M3
IS61QDB21M36C-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager7.740
IS61QDB21M36C-250M3L
IS61QDB21M36C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 8.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
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IS61QDB22M18-250M3
IS61QDB22M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Synchronous, QUAD
  • Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 250MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 7.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 165-LBGA
  • Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)
Auf Lager72