Speicher-ICs

IS61NVF51236-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVF51236-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVF51236B-6.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVF51236B-6.5TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVF51236B-6.5TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVF51236B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP102418-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP102418-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP102418-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP102418-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NVP204818B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP204818B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP204836B-166TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.8ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP204836B-166TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.8ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NVP25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVP25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NVP25672-200B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVP25672-200B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVP25672-200B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

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IS61NVP25672-200B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

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